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检测标准：

1 半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法2076 X射线检查

2 电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 方法209 X射线检查

3 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目0801-3、0902-2、1003-2、1101-2、1102-2、1103-2 X射线检查

4 微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2012.1 X射线检查

5 军用通信设备通用规范 GJB 367A-2001 3.10.2.1方法A01 低温

6 军用装备实验室环境试验方法 第4部分：低温试验 GJB150.4A-2009 低温

7 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目0103-2、0202-4、0701-5、1002-7 内部检查

8 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目0901-5、0902-4、1003-6、1101-5、1102-5、1201-5 内部气体成份分析

9 半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法2073~2075 内部目检

10 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目0901-6、0902-5、1003-7、1101-6、1102-6、1103-4 内部目检

11 微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2010.1、2013、2014、2017.1、2032 内部目检

12 军用通信设备通用规范 GJB 367A-2001 3.10.3.2 冲击

13 电连接器试验方法 GJB1217A-2009 方法2004 冲击

14 半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法2016 冲击

15 电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 方法213 冲击