HAST高加速老化试验目的是为了提高环境应力(如：温度)与工作应力(施加给产品的电压、负荷.等)，加快试验过程，缩短产品或系统的寿命试验时间，随着半导体可靠性的提高，目前大多半导体器件能承受长期的THB试验(目前业界常用的THB试验条件为85℃,85% RH,1000 hours)而不会产生失效，因此用来确定成品质量的测试时间也相应增加了许多。为了提高试验效率、减少试验时间，采用了压力蒸煮锅试验方法。选择HAST作为产品试验条件前,需先确认产品的材料特性是否可承受高温环境(130℃/110℃)及高压应力(230/122KPa)，避免因材料特性限制而产生非关联性之失效。